انگار یه کارایی کردن ;)
یك ایرانی سریع‌ترین «ترانزیستور» جهان را ساخت
یك عضو هیات علمی گروه الكترونیك دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی موÙÙ‚ به ساخت سریع‌ترین ترانزیستور جهان شد كه می‌تواند تØولی مهم در ابررایانه‌ها Ùˆ سایر تجهیزات پیشرÙته الكترونیكی با كاربردهای ویژه ایجاد كند.
به گزارش ایسنا، مقاله مربوط به Ø·Ø±Ø Ø§Ø¨ØªÙƒØ§Ø±ÛŒ دكتر Ùرشید رییسی كه در مجله معتبر بین‌المللی Applied Physics Letters آمریكا نیز ارائه شده، بازتاب وسیعی در نشریات Ùˆ رسانه‌های علمی Ùیزیك جهان داشته است.
دكتر رییسی با بیان این مطلب اظهار كرد: در طراØÛŒ این ترانزیستور به جای «الكترون» از «سالیتان» (بسته‌های امواج الكترومغناطیسی) كه با سرعت نور Øركت می‌كند، استÙاده شده است.
عضو هیات علمی گروه الكترونیك دانشگاه دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی در خصوص مزیت این Ø·Ø±Ø Ù†Ø³Ø¨Øª به ترانزیستورهای معمولی Ú¯Ùت: ترانزیستور «سالیتانی» (SOLITON TRANSISTOR ) می‌تواند صدها برابر سریع‌تر از ترانزیستورهای معمولی كه توسط نیمه هادی‌ها ساخته می‌شوند، عمل كند.
دكتر رییسی اÙزود: این ترانزیستور در ابعاد 8 دهم میلیمتر ساخته شده Ùˆ سرعتی Øدود 8 گیگا هرتز دارد كه در مقایسه با ترانزیستورهای معمولی (Øدود 5/2 گیگا هرتز) سه برابر بیشتر است Ùˆ هر Ú†Ù‡ ابعاد آن كوچكتر باشد، سرعت ترانزیستور اÙزایش می‌یابد.
دكتر رییسی با اشاره به این كه قطعات مورد نیاز این ترانزیستور از خارج كشور تهیه می‌شود، اظهار كرد: تولید این ترانزیستور به آزمایشگاه‌های ساخت قطعات نیمه هادی نیازمند است كه متاسÙانه در كشور وجود ندارد، ‌در Øالی كه هزینه تهیه یك آزمایشگاه ساخت ترانزیستور «سالیتانی» نسبت به هزینه آزمایشگاه‌های ساخت ترانزیستورهای كنونی بسیار كمتر است.
ÙˆÛŒ اÙزود: در صورت تجهیز آزمایشگاه ساخت قطعات نیمه هادی در كشور، با تهیه ترانزیستورهای سالیتانی در ابعاد صد نانومتر، می‌توان سرعت Ùركانسی آن را به Øدود 200 تا 300 گیگا هرتز رساند تا در مواردی نظیر ابررایانه‌ها Ùˆ Ùعالیت‌های دÙاعی كه سرعت ترانزیستور اهمیت دارد، به كار رود.
این پژوهشگر در پایان خاطر نشان كرد: ترانزیستور «سالیتانی» علاوه بر سرعت سه برابر بیشتر نمونه اولیه آن نسبت به سریع‌ترین ترانزیستور‌های موجود در بازار، از Ù„Øاظ هزینه تولید از ترانزیستورهای نیمه هادی با كاربری در CPU‌ها بسیار ارزانتر است.
Ú¯Ùتنی است، دكتر رییسی تØصیلات كارشناسی خود را در رشته مهندسی الكترونیك در دانشگاه ایالتی «لویی‌زیانا» Ùˆ تØصیلات كارشناسی ارشد Ùˆ دكتری خود را در دانشگاه ویسكانسین - مدیسون آمریكا به پایان برده، علاوه بر این طرØØŒ تØقیقات Ùˆ مقالات علمی متعددی داشته كه در معتبرترین نشریات Ùˆ كنÙرانس‌های بین‌المللی Ùیزیك ارائه شده است.
مرجع :http://sharifnews.com/?10661 به سنه :سه شنبه، 10 آبان 1384 -
پیوست : کسی میتونه صØت واقعی این خبر را تائید کنه ØŸ چون این بنده خدا در شرایطی موÙÙ‚ شده Ú©Ù‡ اصلا تجهیزاتش را نداشته ؟و اگه تجهیزاتش قبلا در خارج ساخته شده Ùˆ از خارج وارد شده باشه پس ایشون چیکاره بودن Ú©Ù‡ اسم این مقاله روی ایشونه ØŸ
SOLITONبه معنی شیمی! مواد شیمیایی ( بنا بر خواص Ùیزیکی این دو مورد)Ú†Ù‡ ربطی دارن به امواج الکترومغانطیسی Ùˆ سرعت نور ØŸ
یك ایرانی سریع‌ترین «ترانزیستور» جهان را ساخت
یك عضو هیات علمی گروه الكترونیك دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی موÙÙ‚ به ساخت سریع‌ترین ترانزیستور جهان شد كه می‌تواند تØولی مهم در ابررایانه‌ها Ùˆ سایر تجهیزات پیشرÙته الكترونیكی با كاربردهای ویژه ایجاد كند.
به گزارش ایسنا، مقاله مربوط به Ø·Ø±Ø Ø§Ø¨ØªÙƒØ§Ø±ÛŒ دكتر Ùرشید رییسی كه در مجله معتبر بین‌المللی Applied Physics Letters آمریكا نیز ارائه شده، بازتاب وسیعی در نشریات Ùˆ رسانه‌های علمی Ùیزیك جهان داشته است.
دكتر رییسی با بیان این مطلب اظهار كرد: در طراØÛŒ این ترانزیستور به جای «الكترون» از «سالیتان» (بسته‌های امواج الكترومغناطیسی) كه با سرعت نور Øركت می‌كند، استÙاده شده است.
عضو هیات علمی گروه الكترونیك دانشگاه دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی در خصوص مزیت این Ø·Ø±Ø Ù†Ø³Ø¨Øª به ترانزیستورهای معمولی Ú¯Ùت: ترانزیستور «سالیتانی» (SOLITON TRANSISTOR ) می‌تواند صدها برابر سریع‌تر از ترانزیستورهای معمولی كه توسط نیمه هادی‌ها ساخته می‌شوند، عمل كند.
دكتر رییسی اÙزود: این ترانزیستور در ابعاد 8 دهم میلیمتر ساخته شده Ùˆ سرعتی Øدود 8 گیگا هرتز دارد كه در مقایسه با ترانزیستورهای معمولی (Øدود 5/2 گیگا هرتز) سه برابر بیشتر است Ùˆ هر Ú†Ù‡ ابعاد آن كوچكتر باشد، سرعت ترانزیستور اÙزایش می‌یابد.
دكتر رییسی با اشاره به این كه قطعات مورد نیاز این ترانزیستور از خارج كشور تهیه می‌شود، اظهار كرد: تولید این ترانزیستور به آزمایشگاه‌های ساخت قطعات نیمه هادی نیازمند است كه متاسÙانه در كشور وجود ندارد، ‌در Øالی كه هزینه تهیه یك آزمایشگاه ساخت ترانزیستور «سالیتانی» نسبت به هزینه آزمایشگاه‌های ساخت ترانزیستورهای كنونی بسیار كمتر است.
ÙˆÛŒ اÙزود: در صورت تجهیز آزمایشگاه ساخت قطعات نیمه هادی در كشور، با تهیه ترانزیستورهای سالیتانی در ابعاد صد نانومتر، می‌توان سرعت Ùركانسی آن را به Øدود 200 تا 300 گیگا هرتز رساند تا در مواردی نظیر ابررایانه‌ها Ùˆ Ùعالیت‌های دÙاعی كه سرعت ترانزیستور اهمیت دارد، به كار رود.
این پژوهشگر در پایان خاطر نشان كرد: ترانزیستور «سالیتانی» علاوه بر سرعت سه برابر بیشتر نمونه اولیه آن نسبت به سریع‌ترین ترانزیستور‌های موجود در بازار، از Ù„Øاظ هزینه تولید از ترانزیستورهای نیمه هادی با كاربری در CPU‌ها بسیار ارزانتر است.
Ú¯Ùتنی است، دكتر رییسی تØصیلات كارشناسی خود را در رشته مهندسی الكترونیك در دانشگاه ایالتی «لویی‌زیانا» Ùˆ تØصیلات كارشناسی ارشد Ùˆ دكتری خود را در دانشگاه ویسكانسین - مدیسون آمریكا به پایان برده، علاوه بر این طرØØŒ تØقیقات Ùˆ مقالات علمی متعددی داشته كه در معتبرترین نشریات Ùˆ كنÙرانس‌های بین‌المللی Ùیزیك ارائه شده است.
مرجع :http://sharifnews.com/?10661 به سنه :سه شنبه، 10 آبان 1384 -
پیوست : کسی میتونه صØت واقعی این خبر را تائید کنه ØŸ چون این بنده خدا در شرایطی موÙÙ‚ شده Ú©Ù‡ اصلا تجهیزاتش را نداشته ؟و اگه تجهیزاتش قبلا در خارج ساخته شده Ùˆ از خارج وارد شده باشه پس ایشون چیکاره بودن Ú©Ù‡ اسم این مقاله روی ایشونه ØŸ
SOLITONبه معنی شیمی! مواد شیمیایی ( بنا بر خواص Ùیزیکی این دو مورد)Ú†Ù‡ ربطی دارن به امواج الکترومغانطیسی Ùˆ سرعت نور ØŸ
Comment